電子理論（半導体等）
理論科目 — 25問
- 令和7年度上期 問11 - ホール素子の動作原理と電荷分布、電圧関係に関する穴埋め式選択
- 令和6年度下期 問11 - FET の分類と動作特性を問う理論選択問題
- 令和6年度上期 問11 - BJTとFETの特性違いを問う択一問題
- 令和5年度下期 問11 - FET のゲート電圧制御とチャネル種類を問う図記号選択式穴埋め問題
- 令和5年度上期 問11 - ホール素子の動作原理について、電荷分布とホール電圧の式を記述する穴埋め問題
- 令和5年度上期 問12 - 異なる金属の接合点に温度差が生じた際の現象と効果名の穴埋め問題
- 令和4年度下期 問11 - ダイオードの種類ごとの動作電圧極性に関する穴埋め問題
- 令和4年度上期 問11 - n チャネル接合形FETの動作原理と制御方式を問う穴埋め選択式問題
- 令和3年度 問5 - 温度差による起電力発生と接合点名称を問う穴埋め選択式問題
- 令和3年度 問11 - 半導体のキャリヤ濃度や電流・抵抗率に関する正誤判断問題
- 令和2年度 問11 - バラクタダイオードの動作原理と特性に関する穴埋め問題
- 令和1年度 問11 - 太陽光を電気エネルギーに変換する太陽電池の構造と動作、および温度変化に関する記述問題
- 平成30年度 問11 - 半導体素子の動作原理に関する正誤判断問題
- 平成29年度 問11 - 半導体pn接合の特性と利用現象に関する選択問題
- 平成28年度 問11 - 真性・不純物半導体の性質に関する誤りを選ぶ論説問題
- 平成27年度 問11 - 半導体レーザダイオードの層構造や発光メカニズムを問う穴埋め問題
- 平成26年度 問12 - ダイオードや太陽電池など半導体素子に関する性質の誤りを指摘する論説問題
- 平成25年度 問11 - 真性半導体に不純物を加えた場合の半導体形とドープ元素
- 平成24年度 問11 - 半導体集積回路 IC の誤りを特定する理論問題
- 平成23年度 問11 - MOSFETの動作メカニズムを記述する空欄補充問題
- 平成22年度 問11 - ホール素子の動作原理とホール電圧式の穴埋め計算問題
- 平成21年度 問11 - 半導体の性質（真性・不純物、キャリア、伝導度）で誤っている記述を選ぶ理論問題
- 平成20年度 問11 - 太陽電池のpn接合原理に関する光照射時の電荷移動と発生現象の穴埋め問題
- 平成19年度 問11 - ダイオードの種類ごとのバイアス方向を問う穴埋め問題
- 平成18年度 問11 - 不純物半導体の価数・種類と不純物名の穴埋め問題