電験三種 過去問
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令和4年度上期 理論 問11
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次の文章は，電界効果トランジスタ
(
F
E
T
)
\left( \mathrm {FET}\right)
(
FET
)
に関する記述である。 図は，
n
\mathrm {n}
n
チャネル接合形
F
E
T
\mathrm {FET}
FET
の断面を示した模式図である。ドレーン
(
D
)
\left( \mathrm {D}\right)
(
D
)
電極に電圧
V
D
S
V_{\mathrm {DS}}
V
DS
を加え，ソース
(
S
)
\left( \mathrm {S}\right)
(
S
)
電極を接地すると，
n
\mathrm {n}
n
チャネルの
（ア）
\fbox { （ア） }
（ア）
キャリヤが移動してドレーン電流
I
D
I_{\mathrm {D}}
I
D
が流れる。ゲート
(
G
)
\left( \mathrm {G}\right)
(
G
)
電極に逆方向電圧
V
G
S
V_{\mathrm {GS}}
V
GS
を加えると，
p
n
\mathrm {pn}
pn
接合付近に空乏層が形成されて
n
\mathrm {n}
n
チャネルの幅が
（イ）
\fbox { （イ） }
（イ）
し，ドレーン電流
I
D
I_{\mathrm {D}}
I
D
が
（ウ）
\fbox { （ウ） }
（ウ）
する。このことから
F
E
T
\mathrm {FET}
FET
は
（エ）
\fbox { （エ） }
（エ）
制御形の素子である。 上記の記述中の空白箇所(ア)～(エ)に当てはまる組合せとして，正しいものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。
（ア）
（イ）
（ウ）
（エ）
(
1
)
少数
減少
増加
電流
(
2
)
少数
増加
増加
電流
(
3
)
多数
増加
減少
電圧
(
4
)
多数
減少
減少
電流
(
5
)
多数
減少
減少
電圧
\begin{array}{ccccc} & （ア） & （イ） & （ウ） & （エ） \\ \hline (1) & 少数 & 減少 & 増加 & 電流 \\ \hline (2) & 少数 & 増加 & 増加 & 電流 \\ \hline (3) & 多数 & 増加 & 減少 & 電圧 \\ \hline (4) & 多数 & 減少 & 減少 & 電流 \\ \hline (5) & 多数 & 減少 & 減少 & 電圧 \\ \hline \end{array}
(
1
)
(
2
)
(
3
)
(
4
)
(
5
)
（ア）
少数
少数
多数
多数
多数
（イ）
減少
増加
増加
減少
減少
（ウ）
増加
増加
減少
減少
減少
（エ）
電流
電流
電圧
電流
電圧
解答を表示する
解答を非表示にする
正解：(5)
ChatGPTに解説してもらう
出典：令和4年度上期第三種電気主任技術者試験 理論科目
電子理論（半導体等）
★★☆☆☆
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