令和6年度下期理論問11

電界効果トランジスタ

\left( \mathrm {FET}\right)

に関する記述として，誤っているものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。 (1)　接合形と

\mathrm {MOS}

形に分類することができる。 (2)　ドレーンとソースとの間の電流の通路には，

\mathrm {n}

形と

\mathrm {p}

形がある。 (3)　

\mathrm {MOS}

形はデプレション形とエンハンスメント形に分類できる。 (4)　ゲート電圧で自由電子又は正孔の移動を制御できる。 (5)　エンハンスメント形はゲート電圧に関係なくチャネルができる。

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正解：(5)

出典：令和6年度下期第三種電気主任技術者試験　理論科目

令和6年度下期 理論 問11