電験三種 過去問
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問11
令和5年度下期 理論 問11
済
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F
E
T
\mathrm {FET}
FET
は，半導体の中を移動する多数キャリアを
（ア）
\fbox { （ア） }
（ア）
電圧により生じる電界によって制御する素子であり，接合形と
（イ）
\fbox { （イ） }
（イ）
形がある。次の図記号は接合形の
（ウ）
\fbox { （ウ） }
（ウ）
チャネル
F
E
T
\mathrm {FET}
FET
を示す。 上記の記述中の空白箇所(ア)～(ウ)に当てはまる組合せとして，正しいものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。
（ア）
（イ）
（ウ）
(
1
)
ゲート
M
O
S
n
(
2
)
ドレイン
M
S
I
p
(
3
)
ソース
D
I
P
n
(
4
)
ドレイン
M
O
S
p
(
5
)
ゲート
D
I
P
n
\begin{array}{cccc} & （ア） & （イ） & （ウ） \\ \hline (1) & ゲート & \mathrm {MOS} & \mathrm {n} \\ \hline (2) & ドレイン & \mathrm {MSI} & \mathrm {p} \\ \hline (3) & ソース & \mathrm {DIP} & \mathrm {n} \\ \hline (4) & ドレイン & \mathrm {MOS} & \mathrm {p} \\ \hline (5) & ゲート & \mathrm {DIP} & \mathrm {n} \\ \hline \end{array}
(
1
)
(
2
)
(
3
)
(
4
)
(
5
)
（ア）
ゲート
ドレイン
ソース
ドレイン
ゲート
（イ）
MOS
MSI
DIP
MOS
DIP
（ウ）
n
p
n
p
n
解答を表示する
解答を非表示にする
正解：(1)
ChatGPTに解説してもらう
出典：令和5年度下期第三種電気主任技術者試験 理論科目
電子理論（半導体等）
★★☆☆☆
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