電験三種 過去問

平成23年度 理論 問11

次の文章は，電界効果トランジスタに関する記述である。 図に示すMOS\mathrm {MOS}電界効果トランジスタ（MOSFET\mathrm {MOSFET}）は，p\mathrm {p}形基板表面にn\mathrm {n}形のソースとドレーン領域が形成されている。また，ゲート電極は，ソースとドレーン間のp\mathrm {p}形基板表面上に薄い酸化膜の絶縁層（ゲート酸化膜）を介して作られている。ソースS\mathrm {S}とp\mathrm {p}形基板の電位を接地電位とし，ゲートG\mathrm {G}にしきい値電圧以上の正の電圧VGSV_{\mathrm {GS}}を加えることで，絶縁層を隔てたp\mathrm {p}形基板表面近くでは，　 （ア） 　\fbox {　 （ア） 　}が除去され，チャネルと呼ばれる　 （イ） 　\fbox {　 （イ） 　}の薄い層ができる。これによりソースS\mathrm {S}とドレーンD\mathrm {D}が接続される。このVGSV_{\mathrm {GS}}を上昇させるとドレーン電流IDI_{\mathrm {D}}は　 （ウ） 　\fbox {　 （ウ） 　}する。 また，このFET\mathrm {FET}は　 （エ） 　\fbox {　 （エ） 　}チャネルMOSFET\mathrm {MOSFET}と呼ばれている。 上記の記述中の空白箇所(ア)，(イ)，(ウ)及び(エ)に当てはまる組合せとして，正しいものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。 問題画像 （ア）（イ）（ウ）（エ）(1)　正　孔　　電　子　　増　加　　n　(2)　電　子　　正　孔　　減　少　　p　(3)　正　孔　　電　子　　減　少　　n　(4)　電　子　　正　孔　　増　加　　n　(5)　正　孔　　電　子　　増　加　　p　\begin{array}{ccccc} & （ア） & （イ） & （ウ） & （エ） \\ \hline (1) & 　正　孔　 & 　電　子　 & 　増　加　 & 　\mathrm {n}　 \\ \hline (2) & 　電　子　 & 　正　孔　 & 　減　少　 & 　\mathrm {p}　 \\ \hline (3) & 　正　孔　 & 　電　子　 & 　減　少　 & 　\mathrm {n}　 \\ \hline (4) & 　電　子　 & 　正　孔　 & 　増　加　 & 　\mathrm {n}　 \\ \hline (5) & 　正　孔　 & 　電　子　 & 　増　加　 & 　\mathrm {p}　 \\ \hline \end{array}
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正解：(1)

出典：平成23年度第三種電気主任技術者試験　理論科目

電子理論（半導体等） ★☆☆☆☆

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