電験三種 過去問

令和6年度上期 理論 問11

バイポーラトランジスタと電界効果トランジスタ(FET)\left( \mathrm {FET} \right)に関する記述として，誤っているものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。 (1)　バイポーラトランジスタは，消費電力がFET\mathrm {FET}より大きい。 (2)　バイポーラトランジスタは，静電気に対してFET\mathrm {FET}より破壊されにくい。 (3)　バイポーラトランジスタの入力インピーダンスは，FET\mathrm {FET}のそれよりも低い。 (4)　バイポーラトランジスタは電圧制御素子，FET\mathrm {FET}は電流制御素子といわれる。 (5)　バイポーラトランジスタのコレクタ電流は自由電子及び正孔の両方が関与し，FET\mathrm {FET}のドレーン電流は自由電子又は正孔のどちらかが関与する。
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正解：(4)

出典：令和6年度上期第三種電気主任技術者試験　理論科目

電子理論（半導体等） ★★★☆☆

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