平成18年度 理論 問11

極めて高い純度に精製されたけい素(Si)\left( \mathrm {Si} \right)の真性半導体に,微量のほう素(B)\left( \mathrm {B} \right)又はインジウム(In)\left( \mathrm {In} \right)などの  (ア)  \fbox {  (ア)  }価の元素を不純物として加えたものを  (イ)  \fbox {  (イ)  }形半導体といい,このとき加えた不純物を  (ウ)  \fbox {  (ウ)  }という。 上記の記述中の空白箇所(ア),(イ)及び(ウ)に当てはまる語句又は数値として,正しいものを組み合わせたのは次のうちどれか。 (ア)(イ)(ウ)(1) 5  n  ドナー   (2) 3  p  アクセプタ (3) 3  n  ドナー   (4) 5  n  アクセプタ (5) 3  p  ドナー   \begin{array}{cccc} & (ア) & (イ) & (ウ) \\ \hline (1) &  5  &  \mathrm {n}  &  ドナー    \\ \hline (2) &  3  &  \mathrm {p}  &  アクセプタ  \\ \hline (3) &  3  &  \mathrm {n}  &  ドナー    \\ \hline (4) &  5  &  \mathrm {n}  &  アクセプタ  \\ \hline (5) &  3  &  \mathrm {p}  &  ドナー    \\ \hline \end{array}
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正解:(2)

出典:平成18年度第三種電気主任技術者試験 理論科目

電子理論(半導体等) ★★☆☆☆
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