電験三種 過去問
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問11
平成18年度 理論 問11
済
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極めて高い純度に精製されたけい素
(
S
i
)
\left( \mathrm {Si} \right)
(
Si
)
の真性半導体に,微量のほう素
(
B
)
\left( \mathrm {B} \right)
(
B
)
又はインジウム
(
I
n
)
\left( \mathrm {In} \right)
(
In
)
などの
(ア)
\fbox { (ア) }
(ア)
価の元素を不純物として加えたものを
(イ)
\fbox { (イ) }
(イ)
形半導体といい,このとき加えた不純物を
(ウ)
\fbox { (ウ) }
(ウ)
という。 上記の記述中の空白箇所(ア),(イ)及び(ウ)に当てはまる語句又は数値として,正しいものを組み合わせたのは次のうちどれか。
(ア)
(イ)
(ウ)
(
1
)
5
n
ドナー
(
2
)
3
p
アクセプタ
(
3
)
3
n
ドナー
(
4
)
5
n
アクセプタ
(
5
)
3
p
ドナー
\begin{array}{cccc} & (ア) & (イ) & (ウ) \\ \hline (1) & 5 & \mathrm {n} & ドナー \\ \hline (2) & 3 & \mathrm {p} & アクセプタ \\ \hline (3) & 3 & \mathrm {n} & ドナー \\ \hline (4) & 5 & \mathrm {n} & アクセプタ \\ \hline (5) & 3 & \mathrm {p} & ドナー \\ \hline \end{array}
(
1
)
(
2
)
(
3
)
(
4
)
(
5
)
(ア)
5
3
3
5
3
(イ)
n
p
n
n
p
(ウ)
ドナー
アクセプタ
ドナー
アクセプタ
ドナー
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正解:(2)
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出典:平成18年度第三種電気主任技術者試験 理論科目
電子理論(半導体等)
★★☆☆☆
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