電験三種 過去問

令和3年度 理論 問11

半導体に関する記述として，正しいものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。 (1)　ゲルマニウム（Ge\mathrm {Ge}）やインジウムリン（InP\mathrm {InP}）は単元素の半導体であり，シリコン（Si\mathrm {Si}）やガリウムヒ素（GaAs\mathrm {GaAs}）は化合物半導体である。 (2)　半導体内でキャリヤの濃度が一様でない場合，拡散電流の大きさはそのキャリヤの濃度勾配にほぼ比例する。 (3)　真性半導体に不純物を加えるとキャリヤの濃度は変わるが，抵抗率は変化しない。 (4)　真性半導体に光を当てたり熱を加えたりしても電子や正孔は発生しない。 (5)　半導体に電界を加えると流れる電流はドリフト電流と呼ばれ，その大きさは電界の大きさに反比例する。
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正解：(2)

出典：令和3年度第三種電気主任技術者試験　理論科目

電子理論（半導体等） ★★★☆☆

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