電験三種 過去問

平成21年度 理論 問11

半導体に関する記述として，誤っているのは次のうちどれか。 (1)　シリコン(Si)\left( \mathrm {Si} \right)やゲルマニウム(Ge)\left( \mathrm {Ge} \right)の真性半導体においては，キャリヤの電子と正孔の数は同じである。 (2)　真性半導体に微量のIII\mathrm {III}族又はV\mathrm {V}族の元素を不純物として加えた半導体を不純物半導体といい，電気伝導度が真性半導体に比べて大きくなる。 (3)　シリコン(Si)\left( \mathrm {Si} \right)やゲルマニウム(Ge)\left( \mathrm {Ge} \right)の真性半導体にV\mathrm {V}族の元素を不純物として微量だけ加えたものをp\mathrm {p}形半導体という。 (4)　n\mathrm {n}形半導体の少数キャリヤは正孔である。 (5)　半導体の電気伝導度は温度が下がると小さくなる。
解答を表示する 解答を非表示にする

正解：(3)

出典：平成21年度第三種電気主任技術者試験　理論科目

電子理論（半導体等） ★★☆☆☆

同じテーマの問題を解く

次のランダム問題へ