平成28年度理論問11

半導体に関する記述として，誤っているものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。 (1)　極めて高い純度に精製されたシリコン (

\mathrm {Si}

) の真性半導体に，価電子の数が3個の原子，例えばホウ素 (

\mathrm {B}

) を加えるとp形半導体となる。 (2)　真性半導体に外部から熱を与えると，その抵抗率は温度の上昇とともに増加する。 (3)　

\mathrm {n}

形半導体のキャリアは正孔より自由電子の方が多い。 (4)　不純物半導体の導電率は金属よりも小さいが，真性半導体よりも大きい。 (5)　真性半導体に外部から熱や光などのエネルギーを加えると電流が流れ，その向きは正孔の移動する向きと同じである。

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正解：(2)

出典：平成28年度第三種電気主任技術者試験　理論科目

平成28年度 理論 問11