令和6年度下期 理論 問13

図1は,固定バイアス回路を用いた,RBR_{\mathrm {B}}の値が未知のエミッタ接地トランジスタ増幅回路である。図2は,この増幅回路で用いているトランジスタのコレクタ-エミッタ間電圧VCEV_{\mathrm {CE}}とコレクタ電流ICI_{\mathrm {C}}との関係を予め調べ示した静特性である。ただし,五つのベース電流の値IB [μA]I_{\mathrm {B}} \ \mathrm {[\mu A]}のみに対する曲線であり,増幅回路の負荷抵抗RLR_{\mathrm {L}}の負荷線も重ねて示している。今,増幅回路の動作点を測定したところVCE=3.0 VV_{\mathrm {CE}}=3.0 \ \mathrm {V}であった。抵抗RBR_{\mathrm {B}}の値[MΩ]\mathrm {[M\Omega ]}として最も近いものを次の(1)~(5)のうちから一つ選べ。 ただし,ベース-エミッタ間電圧VBEV_{\mathrm {BE}}0.7 V0.7 \ \mathrm {V}としてよい。なお,C1C_{\mathrm {1}}C2C_{\mathrm {2}}は結合コンデンサであり,VCCV_{\mathrm {CC}}は直流電圧源である。 問題画像 問題画像  (1) 0.50.5  (2) 0.90.9  (3) 1.51.5  (4) 3.03.0  (5) 6.06.0
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正解:(2)

出典:令和6年度下期第三種電気主任技術者試験 理論科目

電子理論(電子回路) ★★★★☆
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