電験三種 過去問
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問13
平成21年度 理論 問13
済
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図1にソース接地の
F
E
T
\mathrm {FET}
FET
増幅器の静特性に注目した回路を示す。この回路の
F
E
T
\mathrm {FET}
FET
のドレーン－ソース間電圧
V
D
S
V_{DS}
V
D
S
とドレーン電流
I
D
I_{D}
I
D
の特性は，図2に示す。図1の回路において，ゲート－ソース間電圧
V
G
S
=
−
0.1
[
V
]
V_{GS}=-0.1 \ \mathrm {[V]}
V
GS
=
−
0.1
[
V
]
のとき，ドレーン－ソース間電圧
V
D
S
[
V
]
V_{DS} \ \mathrm {[V]}
V
D
S
[
V
]
，ドレーン電流
I
D
[
m
A
]
I_{D} \ \mathrm {[mA]}
I
D
[
mA
]
の値として，最も近いものを組み合わせたのは次のうちどれか。 ただし，直流電源電圧
E
2
=
12
[
V
]
E_{2}=12 \ \mathrm {[V]}
E
2
=
12
[
V
]
，負荷抵抗
R
=
1.2
[
k
Ω
]
R=1.2 \ \mathrm {[k\Omega ]}
R
=
1.2
[
kΩ
]
とする。
V
D
S
I
D
(
1
)
0.8
5.0
(
2
)
3.0
5.8
(
3
)
4.2
6.5
(
4
)
4.8
6.0
(
5
)
12
8.4
\begin{array}{ccc} & V_{DS} & I_{D} \\ \hline (1) & 0.8 & 5.0 \\ \hline (2) & 3.0 & 5.8 \\ \hline (3) & 4.2 & 6.5 \\ \hline (4) & 4.8 & 6.0 \\ \hline (5) & 12 & 8.4 \\ \hline \end{array}
(
1
)
(
2
)
(
3
)
(
4
)
(
5
)
V
D
S
0.8
3.0
4.2
4.8
12
I
D
5.0
5.8
6.5
6.0
8.4
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正解：(4)
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出典：平成21年度第三種電気主任技術者試験 理論科目
電子理論（電子回路）
★★★☆☆
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