電験三種 過去問

令和5年度上期 機械 問10

パワー半導体スイッチングデバイスとしては近年，主にIGBT\mathrm {IGBT}とパワーMOSFET\mathrm {MOSFET}が用いられている。通常動作における両者の特性を比較した記述として，誤っているものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。 (1)　IGBT\mathrm {IGBT}は，オンのゲート電圧が与えられなくても逆電圧が印加されれば逆方向の電流が流れる。 (2)　パワーMOSFET\mathrm {MOSFET}は電圧駆動形であり，ゲート・ソース間に正の電圧をかけることによりターンオンする。 (3)　パワーMOSFET\mathrm {MOSFET}はユニポーラデバイスであり，一般的にバイポーラ形のIGBT\mathrm {IGBT}と比べてターンオン時間が短い一方，流せる電流は小さい。 (4)　IGBT\mathrm {IGBT}はキャリアの蓄積作用のためターンオフ時にテイル電流が流れ, パワーMOSFET\mathrm {MOSFET}と比べてオフ時間が長くなる。 (5)　パワーMOSFET\mathrm {MOSFET}ではシリコンのかわりにSiC\mathrm {SiC}を用いることで，高耐圧化と高耐熱化が可能になる。
解答を表示する 解答を非表示にする

正解：(1)

出典：令和5年度上期第三種電気主任技術者試験　機械科目

パワーエレクトロニクス ★★★☆☆

同じテーマの問題を解く

次のランダム問題へ