平成20年度機械問9

電力用半導体素子（半導体バルブデバイス）である

\mathrm {IGBT}

（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）に関する記述として，正しいのは次のうちどれか。 (1)　ターンオフ時の駆動ゲート電力が

\mathrm {GTO}

に比べて大きい。 (2)　自己消弧能力がない。 (3)　

\mathrm {MOS}

構造のゲートとバイポーラトランジスタとを組み合わせた構造をしている。 (4)　

\mathrm {MOS}

形

\mathrm {FET}

パワートランジスタより高速でスイッチングできる。 (5)　他の大電力用半導体素子に比べて，並列接続して使用することが困難な素子である。

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正解：(3)

出典：平成20年度第三種電気主任技術者試験　機械科目

平成20年度 機械 問9