電験三種 過去問

令和2年度 機械 問10

パワー半導体スイッチングデバイスとしては近年，主にIGBT\mathrm {IGBT}とパワーMOSFET\mathrm {MOSFET}が用いられている。両者を比較した記述として，誤っているものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。 (1)　IGBT\mathrm {IGBT}は電圧駆動形であり，ゲート・エミッタ間の電圧によってオン・オフを制御する。 (2)　パワーMOSFET\mathrm {MOSFET}は電流駆動形であり，キャリア蓄積効果があることからスイッチング損失が大きい。 (3)　パワーMOSFET\mathrm {MOSFET}はユニポーラデバイスであり，バイポーラ形のデバイスと比べてオン状態の抵抗が高い。 (4)　IGBT\mathrm {IGBT}はバイポーラトランジスタにパワーMOSFET\mathrm {MOSFET}の特徴を組み合わせることにより，スイッチング特性を改善している。 (5)　パワーMOSFET\mathrm {MOSFET}ではシリコンのかわりにSiC\mathrm {SiC}を用いることで，高耐圧化をしつつオン状態の抵抗を低くすることが可能になる。
解答を表示する 解答を非表示にする

正解：(2)

出典：令和2年度第三種電気主任技術者試験　機械科目

パワーエレクトロニクス ★★☆☆☆

同じテーマの問題を解く

次のランダム問題へ