電験三種 過去問

平成23年度 機械 問10

半導体電力変換装置では，整流ダイオード，サイリスタ，パワートランジスタ（バイポーラパワートランジスタ），パワーMOSFET\mathrm {MOSFET}，IGBT\mathrm {IGBT}などのパワー半導体デバイスがバルブデバイスとして用いられている。 バルブデバイスに関する記述として，誤っているものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。 (1)　整流ダイオードは，n\mathrm {n}形半導体とp\mathrm {p}形半導体とによるpn\mathrm {pn}接合で整流を行う。 (2)　逆阻止三端子サイリスタは，ターンオンだけが制御可能なバルブデバイスである。 (3)　パワートランジスタは，遮断領域と能動領域とを切り換えて電力スイッチとして使用する。 (4)　パワーMOSFET\mathrm {MOSFET}は，主に電圧が低い変換装置において高い周波数でスイッチングする用途に用いられる。 (5)　IGBT\mathrm {IGBT}は，バイポーラとMOSFET\mathrm {MOSFET}との複合機能デバイスであり，それぞれの長所を併せもつ。
解答を表示する 解答を非表示にする

正解：(3)

出典：平成23年度第三種電気主任技術者試験　機械科目

パワーエレクトロニクス ★★★☆☆

同じテーマの問題を解く

次のランダム問題へ